22 декабря в Челябинске первый вице-президент ГК «Оптоган» Алексей Ковш подписал соглашение о стратегическом сотрудничестве с Министерством промышленности Челябинской области и Российским Федеральным Ядерным Центром — ВНИИ технической физики им. академика Е.И. Забабахина (РФЯЦ — ВНИИТФ), передает корреспондент ИА REGNUM .

Соглашение предусматривает сотрудничество сторон в целях формирования совместных проектов по дальнейшему совершенствованию технологий эпитаксиального выращивания, а также процессирования светодиодных чипов. В частности, в рамках реализации соглашения группа компаний «Оптоган» проведет тестирование эпитаксиальных гетероструктур, созданных РФЯЦ-ВН ИИТФ. «Нам интересна технологическая площадка Центра, у которой есть и квалифицированные кадры, и потенциал серьезных научных разработок и производства светодиодных чипов. В настоящий момент мы потребляем чипы только собственного производства, однако готовы поддержать любого российского производителя и разработчика этой самой наукоемкой части производства», заявил после подписания соглашения Алексей Ковш.